IRF7832TRPBF Транзистор HEXFET N-канал

Описание товара

Вес брутто - 0.13

Транспортная упаковка: размер/кол-во - 58*46*50/1000

Мощность - рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт

Тип - MOSFET

Напряжение - пороговое затвора (Vgs th)- 2,32 В

Диапазон рабочих температур - -55…+155 °С

Описание - MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC

Корпус - SOIC-8

Способ монтажа - поверхностный (SMT)

Упаковка - REEL, 4000 шт.

Максимально допустимое напряжение - затвор-исток (Vgs) ± 20 В

Емкость, пФ - 4310

Тип проводимости - N

Максимальное напряжение сток-исток, В - 30

Максимальный ток стока (при Ta=25C), А - 20

Минимальное сопротивление открытого канала, мОм - 3,7

Заряд затвора, нКл - 51