0

IRF7832TRPBF Транзистор HEXFET N-канал

  • Модель: IRF7832TRPBF
  • Артикул: 2006220400000
В упаковке: 25 шт.

Наличие: 38 уп.

  • 1844.94р.

Минимальная сумма заказа: 500 руб.
0 / 500
0 / 500

Вес брутто - 0.13

Транспортная упаковка: размер/кол-во - 58*46*50/1000

Мощность - рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт

Тип - MOSFET

Напряжение - пороговое затвора (Vgs th)- 2,32 В

Диапазон рабочих температур - -55…+155 °С

Описание - MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC

Корпус - SOIC-8

Способ монтажа - поверхностный (SMT)

Упаковка - REEL, 4000 шт.

Максимально допустимое напряжение - затвор-исток (Vgs) ± 20 В

Емкость, пФ - 4310

Тип проводимости - N

Максимальное напряжение сток-исток, В - 30

Максимальный ток стока (при Ta=25C), А - 20

Минимальное сопротивление открытого канала, мОм - 3,7

Заряд затвора, нКл - 51

Общие
Категория Радиодетали
Написать отзыв
Защита от роботов
Введите код в поле ниже

Доставка по Москве и МО

  • Стоимость: от 299 рублей
  • Ближайшая доставка:
    21.05.2024 (Вторник)

Доставка по России

  • Стоимость: расчитывается при оформлении заказа
  • Ближайшая отправка:
    21.05.2024 (Вторник)
IRF7832TRPBF Транзистор HEXFET N-канал
В упаковке: 25 шт.

Наличие: 38 уп.

  • 1844.94р.

Минимальная сумма заказа: 500 руб.
0 / 500
0 / 500

Вы недавно смотрели

Длина - изолятора - 10 мм (диаметр D - Ф4,9 мм) Глубина - (L) 21,2 мм Максимальный ток - 27 А Тип - ..

  • В упаковке: 500 шт.
  • Наличие: 24 уп.

1466.10р.

298ФН2..

  • Наличие: 48 шт.

85.95р.

Тумблер МТ1..

  • Под заказ

608.16р.

Высота - 9,3 (корпус) + 3,1 мм Ширина - 50,78 мм Глубина - 9,1 мм Количество контактов - 34 (2 x 17)..

  • Наличие: 4 шт.

10.17р.

cookie
Наш сайт использует файлы Cookie, чтобы обеспечить Вам наибольшее удобство использования. Продолжая просмотр нашего сайта, Вы соглашаетесь на использование Ваших файлов Cookie и других данных в соответствии с Политикой конфиденциальности.