IRFP4768PBF Транзистор: N-MOSFET, полевой

Описание товара

Вес брутто - 7.30

Транспортная упаковка: размер/кол-во - 62*50*52/100

Мощность - рассеиваемая (Pd) - 520 Вт

Тип - MOSFET

Напряжение - пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В

Диапазон рабочих температур - -55…+175 °С

Описание - MOSFET MOSFT 250V 83A 21mOhm 195nC Qg

Корпус - TO-247-3

Способ монтажа - Through Hole

Упаковка - TUBE, 25 шт.

Максимально допустимое напряжение - затвор-исток (Vgs) ± 20 В

Емкость, пФ - 10880

Тип проводимости - N

Максимальное напряжение сток-исток, В - 250

Максимальный ток стока (при Ta=25C), А - 93

Минимальное сопротивление открытого канала, мОм - 17,5

Заряд затвора, нКл - 270