IRFR5410TRPBF транзистор Р канал

Описание товара

Вес брутто - 0.64

Транспортная упаковка: размер/кол-во - 58*46*50/2000

Мощность - рассеиваемая (Pd) - 66 Вт

Тип - MOSFET

Напряжение - пороговое затвора (Vgs th) - 4В

Диапазон рабочих температур - -55…+150 °С

Описание - MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC

Корпус - TO-252-3

Способ монтажа - поверхностный (SMT)

Упаковка - REEL, 2000 шт.

Максимально допустимое напряжение - затвор-исток (Vgs) ± 20 В

Емкость, пФ - 760

Тип проводимости - P

Максимальное напряжение сток-исток, В - -100

Максимальный ток стока (при Ta=25C), А - -13

Минимальное сопротивление открытого канала, мОм - 205

Заряд затвора, нКл - 58