IRLR120NTRPBF Транзистор, HEXFET, N-канал

Описание товара

Вес брутто - 0.64

Транспортная упаковка: размер/кол-во - 58*46*46/2000

Мощность - рассеиваемая (Pd) - 48 Вт

Тип - MOSFET

Напряжение - пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В

Диапазон рабочих температур - -55…+175 °С

Описание - MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC

Корпус - TO-252-3

Способ монтажа - поверхностный (SMT)

Упаковка - REEL, 2000 шт.

Время - задержки включения/ выключения - 35/ 22 нс

Емкость, пФ - 440

Тип проводимости - N

Максимальное напряжение сток-исток, В - 100

Максимальный ток стока (при Ta=25C), А - 10

Минимальное сопротивление открытого канала, мОм - 185

Заряд затвора, нКл - 20