Транзисторы (страница 56 из 58)

Транзисторы (страница 56)

Вес брутто - 2.80 Транспортная упаковка: размер/кол-во - 60*50*50/1000..

  • В упаковке:20 шт.
  • Под заказ

1733.11р.

Тип - MOSFET Тип проводимости - N Максимальное напряжение сток-исток, В - 200 Максимальный ток стока..

  • Под заказ

137.12р.

Тип - MOSFET Тип проводимости - N Максимальное напряжение сток-исток, В - 60 Максимальный ток стока ..

  • В упаковке:500 шт.
  • Под заказ

1186.80р.

Тип - MOSFET Тип проводимости - P Максимальное напряжение сток-исток, В - -100 Максимальный ток сток..

  • Под заказ

80.19р.

Вес брутто - 6.21 Транспортная упаковка: размер/кол-во - 59*33*17/900..

  • Под заказ

137.74р.

Тип - MOSFET Тип проводимости - N Максимальное напряжение сток-исток, В - 60 Максимальный ток стока ..

  • Под заказ

22.95р.

Тип проводимости - NPN Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В - 80 Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), ..

  • Под заказ

23.10р.

Вес брутто - 0.06 Транспортная упаковка: размер/кол-во - 54.5*20.2*20.5/30000..

  • В упаковке:400 шт.
  • Под заказ

632.96р.

Вес - не более 0,6 г Конфигурация - n-p-n Ток - коллектора обратный: не более 0,5 мкА Мощность - пос..

  • Под заказ

559.87р.

Транспортная упаковка: размер/кол-во - 58*48*60/10 Вес брутто - 367.00..

  • Под заказ

12781.56р.

MMUN2214..

  • В упаковке:100 шт.
  • Под заказ

697.36р.

Конфигурация - p-n-p Мощность - рассеиваемая постоянная: 1 Вт Максимальное напряжение - эмиттер-база..

  • Под заказ

1633.82р.

Конфигурация - p-n-p Ток - эмиттера обратный: 15 Корпус - КТ-9 Напряжение - насыщения между коллекто..

  • Под заказ

170.04р.

Тип - Составной транзистор (Дарлингтона) Тип проводимости - PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В..

  • Под заказ

21.56р.

Конфигурация - p-n-p Ток - эмиттера: 30 мА Мощность - рассеиваемая макс.: 200 мВт Максимальное напря..

  • Под заказ

6.37р.

Транзисторы (страница 56)

Транзистор представляет собой электронный прибор, управляющий электрическим током. Он состоит из трех слоев полупроводникового материала: 

  • Эмиттер. Содержит высокий уровень примесей. Обеспечивает постоянное поступление электронов в транзистор.
  • База. Разделяет эмиттер и коллектор. Контролирует поток электронов между эмиттером и коллектором.
  • Коллектор. Содержит низкий уровень примесей. Принимает электроны от эмиттера и передает их во внешнюю цепь.

Подбор транзисторов

Существует несколько видов и типов транзисторов, каждый из которых имеет свои особенности и применение:

  1. Биполярный. Имеет три слоя полупроводникового материала. Используется для усиления и переключения сигналов.
  2. Полевой. Имеет два слоя полупроводникового материала. Используется для управления током в высокоомных цепях.
  3. Интегральный. Интегрирован на микросхеме. Используется в цифровых схемах для создания логических элементов.
  4. Дарлингтонов. Имеет два биполярных транзистора в одном корпусе. Используется для усиления сигналов с высоким коэффициентом усиления.
  5. С изолированным затвором. Сочетает в себе преимущества биполярного и полевого транзисторов. Используется в высоковольтных приложениях, таких как электроприводы.
  6. МОС. Это полевой транзистор, имеющий металлический оксидный затвор. Используется во многих цифровых и аналоговых приложениях.
  7. Биполярный с поверхностным контактом. Имеет поверхностные контакты для базы, эмиттера и коллектора. Используется в высокочастотных приложениях.

Где купить транзистор

Приобрести устройства в Москве можно в нашем магазине. В каталоге вы найдете фототранзисторы, сверхвысокочувствительные и др. Перечень постоянно пополняется.

У нас вы найдете только высококачественные устройства с повышенной надежности. При необходимости, готовы отправить товар быстрой доставкой по Москве и области.

Не нашли нужный товар?
Воспользуйтесь нашим поиском или свяжитесь с нами, мы обязательно Вам поможем!
cookie
Наш сайт использует файлы Cookie, чтобы обеспечить Вам наибольшее удобство использования. Продолжая просмотр нашего сайта, Вы соглашаетесь на использование Ваших файлов Cookie и других данных в соответствии с Политикой конфиденциальности.