Транзисторы разные (страница 56)

Конфигурация - p-n-p Мощность - рассеиваемая постоянная: 1 Вт Максимальное напряжение - эмиттер-база..

Тип - Составной транзистор (Дарлингтона) Тип проводимости - PNP Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В..

Конфигурация - p-n-p Ток - эмиттера обратный: 15 Корпус - КТ-9 Напряжение - насыщения между коллекто..

Конфигурация - p-n-p Ток - эмиттера: 30 мА Мощность - рассеиваемая макс.: 200 мВт Максимальное напря..

Конфигурация - n-p-n Ток - эмиттера обратный: 10 Корпус - КТ-28-2 Напряжение - насыщения между колле..

Конфигурация - n-p-n Ток - коллектор-эмиттер обратный: 10 Вт Напряжение - насыщения между коллекторо..

Конфигурация - n-p-n Ток - эмиттера обратный: 15 Выходная мощность - >0,8 Вт Частота - коэффициента ..

Тип - MOSFET Тип проводимости - N Максимальное напряжение сток-исток, В - 650 Максимальный ток стока..

Тип проводимости - NPN Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В - 200 Максимальное напряжение КБ (Vcbo),..